学霸的军工科研系统 第1444节（4 / 7）
“我之前去华芯国际调研的时候，听他们的技术专家提到过。”栾文杰提出了一个更长远的问题，“在当前硅基cmos工艺的物理框架下，制程的极限大概在5nm或者3nm附近，如果按照刚才计算的107.22nm等效波长来推算……”
“是否意味着，未来我们这台arf-1800，也有可能通过技术优化，用于生产下一代，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！”
这个问题，张汝宁已经等待了很久。
“跟刚才那张表上的情况一样，业界宣传的‘5nm’、‘3nm’这些节点名称，仍然是制程迭代的代称，跟实际的最小物理特征尺寸并非严格的一一对应关系。”
他解释道：
“所谓‘5nm’节点实际对应的特征尺寸，业界预估会在25nm左右，至于‘3nm’，则可能对应到15-18nm区间。”
张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜，继续深入技术本质：
“对于25nm的特征尺寸，arf-1800仍然可以通过双重曝光技术实现，就是良品率会比单次曝光生产30nm级别的产品时有所下降，工艺整合的复杂度也会提升，不过技术路径是确定存在的。”
尽管隔着面罩，但众人还是能感觉到，栾文杰原本皱着的眉头舒展开来。
而张汝宁语气却变得慎重起来：
“至于20nm以下级别的特征尺寸，将是另一个维度的挑战……实际上，随着芯片制程逼近硅材料的物理极限，量子隧穿效应将变得无法忽视，晶体管将难以有效关断，漏电流剧增，同时微观层面的不确定性会急剧放大，导致器件性能的波动性大幅增加。”
“一般认为这个临界尺寸会在10nm左右，但考虑到衍射极限的存在，以及任何工业产品都不可能做到真正意义上的完美无缺，就算是使用euv光刻机，要想稳定量产特征尺寸在20nm以下的产品，也会非常非常困难，而且良率会不可控制的降低。”
随后，他做了一个总结性的判断：
“我个人认为，随着边界效应的递增，未来芯片性能提升的主要驱动力，将从过去单纯依赖制程微缩，转向更依赖于芯片架构创新、先进封装技术、还有底层驱动软件和算法的深度优化……”
张汝宁坦诚地摊了摊手：
↑返回顶部↑
“是否意味着，未来我们这台arf-1800，也有可能通过技术优化，用于生产下一代，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！”
这个问题，张汝宁已经等待了很久。
“跟刚才那张表上的情况一样，业界宣传的‘5nm’、‘3nm’这些节点名称，仍然是制程迭代的代称，跟实际的最小物理特征尺寸并非严格的一一对应关系。”
他解释道：
“所谓‘5nm’节点实际对应的特征尺寸，业界预估会在25nm左右，至于‘3nm’，则可能对应到15-18nm区间。”
张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜，继续深入技术本质：
“对于25nm的特征尺寸，arf-1800仍然可以通过双重曝光技术实现，就是良品率会比单次曝光生产30nm级别的产品时有所下降，工艺整合的复杂度也会提升，不过技术路径是确定存在的。”
尽管隔着面罩，但众人还是能感觉到，栾文杰原本皱着的眉头舒展开来。
而张汝宁语气却变得慎重起来：
“至于20nm以下级别的特征尺寸，将是另一个维度的挑战……实际上，随着芯片制程逼近硅材料的物理极限，量子隧穿效应将变得无法忽视，晶体管将难以有效关断，漏电流剧增，同时微观层面的不确定性会急剧放大，导致器件性能的波动性大幅增加。”
“一般认为这个临界尺寸会在10nm左右，但考虑到衍射极限的存在，以及任何工业产品都不可能做到真正意义上的完美无缺，就算是使用euv光刻机，要想稳定量产特征尺寸在20nm以下的产品，也会非常非常困难，而且良率会不可控制的降低。”
随后，他做了一个总结性的判断：
“我个人认为，随着边界效应的递增，未来芯片性能提升的主要驱动力，将从过去单纯依赖制程微缩，转向更依赖于芯片架构创新、先进封装技术、还有底层驱动软件和算法的深度优化……”
张汝宁坦诚地摊了摊手：
↑返回顶部↑